Получены материалы, перспективные для создания элементов памяти будущего Опубликовано 18 марта, 2025 автором ТАСС Ученые Новосибирского госуниверситета (НГУ) получили новые полупроводниковые материалы, перспективные для создания элементов памяти будущего.